Памет 32GB DDR4 3200MT/s

Характеристика:

• Захранване: VDD = 1.2V Типично
• VDDQ = 1.2V Типично
• VPP = 2.5V Типично
• VDDSPD = 2.2V до 3.6V
• Номинално и динамично завършване на матрицата (ODT) за
данни, стробоскоп и сигнали за маска
• Автоматично самоопресняване с ниска мощност (LPASR)
• Инверсия на шината за данни (DBI) за шината за данни
• Генериране и калибриране на VREFDQ в матрицата
• Двоен ранг
• Вграден EEPROM за откриване на серийно присъствие (SPD) на I2
• 16 вътрешни банки; 4 групи от по 4 банки
• Фиксиран серийно нарязване (BC) от 4 и дължина на взрив (BL) от 8
чрез набора регистър на режима (MRS)
• Избираеми BC4 или BL8 в движение (OTF)
• Полетна топология
• Прекратена команда за управление и адресна шина
• ПХБ: Височина 1.23” (31.25mm)
• Съвместим с RoHS и без халоген

Спецификация

-CL (IDD) 22 цикъла
-Време на цикъл на редове (tRCmin) 45,75 ns (мин.)
-Обновяване до Активно / Обновяване 350 ns (мин.)
-Командно време (tRFCmin)
-Време на активен ред (tRASmin) 32ns (мин.)
-UL рейтинг 94 V - 0
-Работна температура 0 °С до + 85 °С
-Температура на съхранение -55 С° до + 100 °